GT308 - hFE=50-60
Beschreibung
GT308, selektierter PNP Germaniumtransistor mit einem Verstärkungsfaktor im Bereich von 50 bis 60.
Leckstrom kleiner 300uA.
GT308, selektierter PNP Germaniumtransistor mit einem Verstärkungsfaktor im Bereich von 50 bis 60.
Leckstrom kleiner 300uA.