GT308 - hFE=60-70
Beschreibung
GT308, selektierter PNP Germaniumtransistor mit einem Verstärkungsfaktor im Bereich von 60 bis 70.
Leckstrom kleiner 300uA.
GT308, selektierter PNP Germaniumtransistor mit einem Verstärkungsfaktor im Bereich von 60 bis 70.
Leckstrom kleiner 300uA.