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EnglischAC125 - hFE=90-100
Beschreibung
NOS Tungsram selektierter AC125 PNP Germaniumtransistor mit einem Verstärkungsfaktor im Bereich von 90 bis 100.
Leckstrom kleiner 300uA.
NOS Tungsram selektierter AC125 PNP Germaniumtransistor mit einem Verstärkungsfaktor im Bereich von 90 bis 100.
Leckstrom kleiner 300uA.
